Bonjour,
Petite question concernant les positions de soudage et leur domaine de validité.
En regardant le § 8.4.2 de la NF EN ISO 15614-1, je vois que :
Si pas d'exigences sur flexion par choc et dureté, une QMOS en une position couvre toutes les positions (excepté PG et J-L045).
Ainsi, si j'ai bien compris, par exemple pour une éprouvette de tôle BW en inox, épaisseur 10 mm, la position PA va couvrir toutes les positions (sauf PG et J-L045).
Dans mon cas, j'ai une QMOS en S355 épaisseur 12mm.
Or, lors du passage de la QMOS, la soudure n'a été réalisée que en position PA.
A priori, flexion par choc et dureté sont demandés : je ne suis qualifié que pour du PA.
Est-ce bien ça ?
De même pour une QMOS en 304L épaisseur 12mm.
Or, lors du passage de la QMOS, la soudure n'a été réalisée que en position PA.
A priori seulement flexion par choc est demandé. Suis-je dans la même situation que dans le cas précédent, où suis-je couvert également pour des positions plus énergétiques ?
Merci d'avance.
Bonjour Benoit18,
[QUOTE]Dans mon cas, j'ai une QMOS en S355 épaisseur 12mm.
Or, lors du passage de la QMOS, la soudure n'a été réalisée que en position PA.
A priori, flexion par choc et dureté sont demandés : je ne suis qualifié que pour du PA.
Est-ce bien ça ?
Oui c'est bien comme cela qu'il faut interpréter !
votre QMOS ne peut être utilisée qu'en position à plat PA dans une fourchette d'apport de chaleur de 25% en plus ou en moins
[QUOTE] De même pour une QMOS en 304L / 1.4307 épaisseur 12 mm.
Or, lors du passage de la QMOS, la soudure n'a été réalisée que en position PA.
A priori seulement flexion par choc est demandé.
Suis-je dans la même situation que dans le cas précédent, où suis-je couvert également pour des positions plus énergétiques ?
Oui vous êtes dans la même situation !
Votre QMOS ne peut être utilisée qu'en position à plat PA dans une fourchette d'apport de chaleur de + 25% (car vous ne faites pas de dureté sur un inox groupe 8)
Pour pouvoir souder en toutes positions dans la fourchette de l'apport de chaleur, il faut faire une QMOS en position faible énergie (PC ou PE) et en même temps une QMOS en position forte énergie (PF ou PA)
Bien cordialement
Merci beaucoup pour votre réponse !